ニュースレター - 2024年秋
再生可能エネルギーと炭素削減政策に向けた世界的な取り組みが加速する中、新しいエネルギー技術が未来の主要な力として急速に台頭しています。 MELF resistor業界のパイオニアとして、FIRSTOHMはこれらの最先端技術に対して安定した信頼性のあるソリューションを提供することに専念しています。 私たちのMELF抵抗器は、PVインバータ、風力エネルギー変換、電気自動車、エネルギー貯蔵システムなどのアプリケーションで卓越した性能と耐久性を提供します。 このエディションでは、最新の技術革新を紹介し、これらの革新が新しいエネルギープロジェクトの開発をどのように推進しているかを探ります。これにより、市場の機会を捉え、グリーンエネルギーの未来を受け入れる手助けをします。
デリーとミュンヘンでのエレクトロニカ2024
★ 2024年9月11日～13日：エレクトロニカ インディア
場所：インディア エキスポ センター、グレーター ノイダ、デリー NCR、インド
ブース番号：H10.G61（ホール10、ブースG61）
★ 2024年11月12日～15日：エレクトロニカ ミュンヘン、ドイツ
場所：メッセ・ミュンヘン、ドイツ
ブース番号：A5.411（ホールA5、ブース411）
FIRSTOHMは、グリーンエネルギー産業に関連する抵抗器製品のアプリケーションを紹介できることを楽しみにしています。企業の持続可能性への関心が高まる中、私たちは業界をリードする高信頼性の抵抗器製品を提供することにコミットしています。すべての専門家の皆様を心より歓迎し、貴重なフィードバックをいただけることを楽しみにしています！
★2024年更新の会社プロフィールと製品カタログが6月30日にリリースされました
★IGBTゲート抵抗アプリケーションにおけるMELF抵抗の技術的利点
IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの高入力インピーダンスとBJTの低導通電圧を組み合わせたパワー半導体デバイスであり、パワーエレクトロニクスで広く使用されています。ゲート抵抗（Rg）はIGBTゲートドライブ回路の重要なコンポーネントであり、主にスイッチング速度を制御し、スイッチングノイズを低減します。
ゲート抵抗の選定は、IGBTの安定した動作と長期的な信頼性を確保するために重要です。このアプリケーションでは、MELF抵抗がいくつかの重要な技術的利点を示しています:
• 低寄生インダクタンスとキャパシタンス：MELF抵抗器は、非常に低い寄生インダクタンスとキャパシタンスを持っており、高速スイッチングアプリケーションにおける信号の完全性にとって重要です。この低寄生効果は、スイッチング中の信号歪みを減少させ、全体的なシステム性能を向上させます。
• 高い安定性と温度耐性：MELF抵抗器の高い安定性と温度耐性により、高い電力密度や過酷な動作環境でも一貫した抵抗値を維持できます。これにより、IGBTは高い電力と熱ストレスに対応でき、回路の信頼性と長寿命を確保します。
• 精密製造と優れた温度係数：これらの特長により、ゲート電圧の精密な制御が可能になり、スイッチング効率の向上、電力損失の削減、全体的なシステムエネルギー効率の向上が図れます。
要約すると、MELF抵抗器は、低い寄生効果、高温安定性、正確な抵抗制御のおかげで、IGBTゲート抵抗器アプリケーションに理想的なソリューションを提供します。FIRSTOHMのMELF resistorソリューションは、今日のパワーエレクトロニクス業界の高性能と信頼性の要求を満たし、技術競争で先を行く手助けをします。
※用途:
1. 電気自動車
2. 太陽光インバーター
3. 充電ステーション
4. エネルギー貯蔵システム
5. 産業用電源
※MELF抵抗器を推奨します:
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