Electronica 2024 à Delhi et Munich

★ 11–13 septembre 2024 : electronica India

Lieu : India Expo Centre, Greater Noida, Delhi NCR, Inde
Numéro de stand : H10.G61 (Hall 10, Stand G61)

★ 12–15 novembre 2024 : electronica Munich, Allemagne

Emplacement : Messe München, Allemagne
Numéro de stand : A5.411 (Hall A5, Stand 411)
 
FIRSTOHM est ravi de présenter des applications de produits résistifs liées à l'industrie de l'énergie verte. En réponse à l'accent croissant sur la durabilité des entreprises, nous nous engageons à fournir des produits résistifs de premier plan et hautement fiables. Nous accueillons chaleureusement tous les professionnels à venir visiter et à fournir des retours précieux!

★ Profil d'entreprise et catalogue de produits mis à jour en 2024 publié le 30 juin

★Les avantages techniques des résistances MELF dans les applications de résistances de porte IGBT

L'IGBT (Transistor Bipolaire à Grille Isolée) est un dispositif semi-conducteur de puissance qui combine la haute impédance d'entrée des MOSFET avec la faible tension de conduction des BJT, ce qui le rend largement utilisé dans l'électronique de puissance. La résistance de grille (Rg) est un composant crucial dans le circuit de commande de la grille de l'IGBT, contrôlant principalement la vitesse de commutation et réduisant le bruit de commutation.
La sélection de la résistance de porte est essentielle pour garantir le fonctionnement stable et la fiabilité à long terme de l'IGBT. Dans cette application, les résistances MELF présentent plusieurs avantages techniques significatifs :
• Faible inductance et capacité parasitaires : Les résistances MELF ont une inductance et une capacité parasitaires exceptionnellement faibles, ce qui est crucial pour l'intégrité du signal dans les applications de commutation à haute vitesse. Cet effet parasitaire faible aide à réduire la distorsion du signal lors de la commutation, améliorant ainsi les performances globales du système.
• Haute stabilité et résistance à la température : La haute stabilité et la résistance à la température des résistances MELF leur permettent de maintenir une valeur de résistance constante même dans des environnements à haute densité de puissance et à des conditions de fonctionnement extrêmes. Cela garantit que l'IGBT peut supporter une forte puissance et un stress thermique, assurant ainsi la fiabilité et la longévité du circuit.
• Fabrication de précision et excellent coefficient de température : Ces caractéristiques permettent un contrôle précis de la tension de seuil, contribuant à améliorer l'efficacité de commutation, à réduire les pertes d'énergie et à améliorer l'efficacité énergétique globale du système.
En résumé, les résistances MELF offrent une solution idéale pour les applications de résistances de porte IGBT, grâce à leurs faibles effets parasites, leur stabilité à haute température et leur contrôle précis de la résistance. Les solutions de FIRSTOHM en MELF resistor répondent aux exigences de haute performance et de fiabilité de l'industrie électronique de puissance d'aujourd'hui, vous aidant à rester en avance dans la compétition technique.

※Applications :

1. Véhicules électriques
2. Onduleurs solaires
3. Stations de recharge
4. Systèmes de stockage d'énergie
5. Alimentation électrique industrielle

※Recommander des résistances MELF :

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Quoi de neuf chez FIRSTOHM - Automne 2024

L'avantage d'utiliser des résistances MELF pour les résistances de porte IGBT

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