Electronica 2024 em Delhi e Munique

★ 11 a 13 de setembro de 2024: electronica Índia

Localização: India Expo Centre, Greater Noida, Delhi NCR, Índia
Número do estande: H10.G61 (Pavilhão 10, Estande G61)

★ 12 a 15 de novembro de 2024: electronica Munique, Alemanha

Localização: Messe München, Alemanha
Número do Estande: A5.411 (Pavilhão A5, Estande 411)
 
FIRSTOHM está empolgado para apresentar aplicações de produtos de resistores relacionadas à indústria de energia verde. Em resposta ao crescente foco na sustentabilidade corporativa, estamos comprometidos em fornecer produtos de resistores altamente confiáveis e líderes do setor. Recebemos calorosamente todos os profissionais para visitar e fornecer feedback valioso!

★ Perfil da Empresa e Catálogo de Produtos Atualizados de 2024 Lançados em 30 de Junho

★As Vantagens Técnicas dos Resistores MELF em Aplicações de Resistores de Gate IGBT

IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) é um dispositivo semicondutor de potência que combina a alta impedância de entrada dos MOSFETs com a baixa tensão de condução dos BJTs, tornando-o amplamente utilizado em eletrônica de potência. O resistor de porta (Rg) é um componente crucial no circuito de acionamento da porta do IGBT, controlando principalmente a velocidade de comutação e reduzindo o ruído de comutação.
A seleção do resistor de porta é crítica para garantir a operação estável e a confiabilidade a longo prazo do IGBT. Nesta aplicação, os resistores MELF demonstram várias vantagens técnicas significativas:
• Baixa Indutância e Capacitância Parasitárias: Os resistores MELF têm indutância e capacitância parasitárias excepcionalmente baixas, que são cruciais para a integridade do sinal em aplicações de comutação de alta velocidade. Esse baixo efeito parasitário ajuda a reduzir a distorção do sinal durante a comutação, melhorando assim o desempenho geral do sistema.
• Alta Estabilidade e Resistência à Temperatura: A alta estabilidade e resistência à temperatura dos resistores MELF permitem que eles mantenham um valor de resistência consistente mesmo em densidades de potência elevadas e em ambientes operacionais extremos. Isso garante que o IGBT possa lidar com alta potência e estresse térmico, assegurando a confiabilidade e a longevidade do circuito.
• Fabricação de Precisão e Excelente Coeficiente de Temperatura: Essas características permitem um controle preciso da tensão de porta, ajudando a melhorar a eficiência de comutação, reduzir a perda de energia e aumentar a eficiência energética geral do sistema.
Em resumo, os resistores MELF oferecem uma solução ideal para aplicações de resistores de gate IGBT, graças aos seus baixos efeitos parasitas, alta estabilidade térmica e controle preciso de resistência. As soluções de FIRSTOHM para MELF resistor atendem às demandas de alto desempenho e confiabilidade da indústria de eletrônica de potência de hoje, ajudando você a se manter à frente na competição técnica.

※Aplicações:

1. Veículos Elétricos
2. Inversores Solares
3. Estações de Carregamento
4. Sistemas de Armazenamento de Energia
5. Fontes de Alimentação Industriais

※Recomendar Resistores MELF:

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Novidades na FIRSTOHM - Outono 2024

A vantagem de usar resistores MELF para resistores de Gate IGBT

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