03 Dec, 4553 FIRSTOHM

★ 11.–13. September 2024: electronica Indien

Standort: India Expo Centre, Greater Noida, Delhi NCR, Indien
Standnummer: H10.G61 (Halle 10, Stand G61)

★ 12.–15. November 2024: electronica München, Deutschland

Standort: Messe München, Deutschland
Standnummer: A5.411 (Halle A5, Stand 411)
 
FIRSTOHM freut sich, Anwendungen von Widerstandsprodukten im Zusammenhang mit der grünen Energiebranche vorzustellen. Als Reaktion auf das wachsende Interesse an unternehmerischer Nachhaltigkeit setzen wir uns dafür ein, branchenführende, hochzuverlässige Widerstandsprodukte anzubieten. Wir heißen alle Fachleute herzlich willkommen, uns zu besuchen und wertvolles Feedback zu geben!

★ 2024 Aktualisiertes Unternehmensprofil und Produktkatalog am 30. Juni veröffentlicht

★Die technischen Vorteile von MELF-Widerständen in IGBT-Gate-Widerstands-Anwendungen

IGBT (Isolierter Gate-Bipolartransistor) ist ein Leistungshalbleiterbauelement, das die hohe Eingangsimpedanz von MOSFETs mit der niedrigen Durchlassspannung von BJTs kombiniert, was es in der Leistungselektronik weit verbreitet macht. Der Gate-Widerstand (Rg) ist eine entscheidende Komponente im IGBT-Gate-Ansteuerschaltkreis, der hauptsächlich die Schaltgeschwindigkeit steuert und das Schaltgeräusch reduziert.
Die Auswahl des Gate-Widerstands ist entscheidend für den stabilen Betrieb und die langfristige Zuverlässigkeit des IGBT. In dieser Anwendung zeigen MELF-Widerstände mehrere bedeutende technische Vorteile:
• Niedrige parasitäre Induktivität und Kapazität: MELF-Widerstände haben eine außergewöhnlich niedrige parasitäre Induktivität und Kapazität, die für die Signalintegrität in Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen entscheidend sind. Dieser niedrige parasitäre Effekt hilft, Signalverzerrungen während des Schaltens zu reduzieren, wodurch die Gesamtleistung des Systems verbessert wird.
• Hohe Stabilität und Temperaturbeständigkeit: Die hohe Stabilität und Temperaturbeständigkeit von MELF-Widerständen ermöglichen es ihnen, einen konstanten Widerstandswert selbst bei hoher Leistungsdichte und extremen Betriebsbedingungen aufrechtzuerhalten. Dies stellt sicher, dass der IGBT hohe Leistung und thermische Belastung bewältigen kann, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit der Schaltung gewährleistet.
• Präzisionsfertigung und hervorragender Temperaturkoeffizient: Diese Merkmale ermöglichen eine präzise Steuerung der Gate-Spannung, was dazu beiträgt, die Schalt-effizienz zu verbessern, den Energieverlust zu reduzieren und die gesamte Energieeffizienz des Systems zu steigern.
Zusammenfassend bieten MELF-Widerstände eine ideale Lösung für IGBT-Gate-Widerstands-Anwendungen, dank ihrer geringen parasitären Effekte, hohen Temperaturstabilität und präzisen Widerstandskontrolle. FIRSTOHM’s MELF resistor-Lösungen erfüllen die Anforderungen an hohe Leistung und Zuverlässigkeit der heutigen Leistungselektronikindustrie und helfen Ihnen, im technischen Wettbewerb einen Schritt voraus zu sein.

※Anwendungen:

1. Elektrofahrzeuge
2. Solarwechselrichter
3. Ladestationen
4. Energiespeichersysteme
5. Industrielle Stromversorgungen

※Empfehlen Sie MELF-Widerstände:

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Neuigkeiten bei FIRSTOHM - Herbst 2024

Der Vorteil der Verwendung von MELF-Widerständen für IGBT-Gate-Widerstände

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