抗突波绕线可熔断电阻通过多国专利申请
抗突波绕线可熔断电阻(SWAT/SWMT)通过绕线接点强化专利,专利编号如下:
大陆专利编号: 4743603
台湾专利编号: I637420
日本专利编号: 6836669
美国专利编号: US10170266B2
31 Jan, 2019
抗突波绕线可熔断电阻(SWAT/SWMT)通过绕线接点强化专利,专利编号如下:
大陆专利编号: 4743603
台湾专利编号: I637420
日本专利编号: 6836669
美国专利编号: US10170266B2