抗浪湧電阻,高脈衝負載電阻
充放电/抗突波电阻
材质分为绕线或是薄膜电阻两种，封装可分为晶圆电阻或是插件电阻
充放电抗突波电阻(抗浪涌电阻器)均为圆柱形，并由优质陶瓷棒制成。 与晶片电阻器相比，它可以有效地散热，承受更高的脉冲负载，并具有更高的功耗。第一電阻的抗浪涌电阻可同时支持薄膜和金属合金绕线电阻器。抗浪涌电阻器可分为以下10类，有关更多信息，请参见以下内容。
耐突波型金属膜晶圆电阻- MM(P)
耐突波型金属膜晶圆电阻- MM(P)系列，功率范围从0.16W至0.5W，阻值范围从0.1Ω至330KΩ，比传统片式贴片电阻器具有更出色的抗脉冲能力和出色的散热性能，特殊的柱状机械结构可以耐振动和热冲击，长时间操作稳定性较佳。
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突波抑制插件电阻- MSD
突波抑制插件电阻（MSD系列）的额定功率为0.25W至6W，电阻范围为100mΩ至1MΩ，是线绕电阻器的低成本替代产品。电阻是在高级陶瓷基材上使用特殊复合薄膜制成，符合防火等级UL...
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突波防护插件电阻- PPR
突波防护插件电阻(PPR系列)的额定功率范围为0.25W至2W,电阻范围为2.2Ω至4.7MΩ,提供比碳电阻器更好的性能。 没有高浪涌引起的“烧结效应”,因此不会大大降低电阻值,PPR系列可以取代碳膜电阻器,外表使用多层不易燃涂层。
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脉冲负载晶圆电阻- PVM
脉冲负载晶圆电阻(PVM)的额定功率为0.4W至1W，电阻范围为300KΩ至10MΩ，电阻公差分别为±1％和±5％，可使用表面黏着技术(SMT)打件过锡炉，特殊设计的薄膜可承受比一般电阻更高的工作电压，并具有优异抗浪涌功能。...
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抗突波膜层晶圆电阻- SRM
抗突波膜层晶圆电阻的额定功率为0.25W至3W，电阻范围为0.1Ω至2.2MΩ，优点在与其他品牌绕线电阻器相比,抗突波膜层晶圆电阻有紧密的公差，范围在±1％〜±5％，允许最大浪涌电压高达10KV，在浪涌电流或环境浪涌损坏方面具有更高的性能。通过AEC-Q200认证，抗硫化，适合表面黏着技术的外形结构，且尺寸与扁平芯片电阻相同，通过VDE安规测试规范与认证DIN...
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抗突波绕线晶圆电阻- SWM
抗突波绕线晶圆电阻（SWM系列）的额定功率范围为1W至4W。 电阻范围为1Ω至1.2KΩ。符合AEC-Q200规范，可使用表面黏着技术过锡炉打件，散热性优于片式电阻器，圆柱型结构拥有较强的机械结构，可以抗振动和耐热冲击，增强绕线焊接点的结构强化，产品符合RoHS要求，并且不含欧洲化学品管理局禁止的高度关注的物质，抗突波绕线晶圆电阻适用于高浪涌应用，例如功率电容器的高浪涌电流保护，电机启动保护，汽车和摩托车发动机点火等，以吸收有害的浪涌能量，从而避免了由浪涌能量引起的电路损坏危险。 抗突波绕线晶圆电阻已经获得以下专利授权： 台湾专利号：M530462 日本专利号：3208923 大陆专利号：ZL201490001291.X 韩国专利号：20-0486309 美国专利号：US9978483B2
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抗突波绕线晶圆电阻X系列- SWMX
抗突波绕线晶圆电阻X系列（SWMX）额定功率为1W，电阻范围为1欧姆至150欧姆，公差为±5%。 SWMX系列应用于电容器充放电保护、马达起动保护、电动车、再生能源储存等等具有突波的应用中，电阻可以吸收有害的突波能量，从而防止电路因突波所造成损坏的危险。该电阻采用圆柱形结构，且一样是贴片式的SMD电阻，但却比长方形贴片电阻具有更好的散热性能，并且机械结构更坚固，可以承受振动和热冲击。 电极经过增强焊点，对抗突波更加可靠。...
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抗突波绕线可熔断晶圆电阻- SWMT
抗突波绕线可熔断晶圆电阻（SWMT系列）的额定功率为1W至4W，电阻范围为1Ω至470Ω,，透过特殊处理将合金线与帽盖的焊点强化，使电阻能够承受更大的浪用冲击，电阻中增加保险丝功能，因此能够适用于大功率快速熔断的应用，此种抗浪涌和快速熔断组合的结构，大幅领先同业，散热性优于片式贴片电阻，圆柱型结构更能够抗震和耐热冲击，符合UL...
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抗突波绕线可熔断插件电阻- SWAT
抗突波绕线可熔断插件电阻（SWAT系列）的额定功率范围为1W至3W，电阻范围为1Ω至470Ω，透过特殊处理将合金线与帽盖的焊点强化，使电阻能够承受更大的浪用冲击，更加适用于大功率的快速熔断需求，领先同业的抗浪涌和快速熔断功能结合在同一电阻器上，外表保护漆符合UL94V-0的防火多层涂层结构，内含熔断功能可防止电子产品过热引起的意外灾害，熔断性能等同于通过UL1412测试，符合RoHS...
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